E gatshme memoria e parë DDR4

Seul, 10 janar - Prodhuesi më i madh i çipave memorikë DRAM, Samsung, ka bërë të ditur se ka prodhuar modulin e parë memorik DDR4 në procesin e vet prodhues 30-nanometërsh. Moduli arrin bandwidth prej 2133 Gbps me tension prej 1,2V, në krahasim me 1,35V për modulet DDR3 të prodhuara me po të njëjtin proces. Ky është posaçërisht një lajm i mirë për prodhuesit e laptopëve, edhe pse tani për tani askush prej prodhuesve të çipseteve dhe procesorëve nuk përkrah këtë standard të ri.
Çelësi i kursimit te çipat DDR4 është në diç që quhet POD – Pseudi Open Drain, një arkitekturë e re e transistorëve që mundëson frekuenca më të larta pune deri 3,2 GHz me shpenzimin e zvogëluar të energjisë.
Përfundimi i standardit DDR4 JEDEC pritet vetëm nga fundi i këtij viti, kështu që modulet mund të priten në shitje deri nga mesi i vitit të ardhshëm.